FDMD85100
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDMD85100 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 100V |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $1.4883 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-Power 5x6 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V |
Leistung - max | 2.2W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.4A |
FDMD85100 Einzelheiten PDF [English] | FDMD85100 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWER
MOSFET 80V 16A POWER 5X6
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
MOSFET 2N-CH 30V 35A
MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
MOSFET 2N-CH 40V 8POWER 5X6
FET ENGR DEV-NOT REL
MOSFET 2N-CH 100V
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET 2N-CH 30V 35A
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
MOSFET 80V 16A POWER 5X6
FET ENGR DEV-NOT REL
2024/07/4
2024/04/13
2024/05/6
2024/07/9
FDMD85100Fairchild/ON Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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